Niet lang geleden heeft OPPO de nieuwe OPPO 65W GaN-snellader met galliumnitride uitgebracht. Een nogal innovatief product, zowel voor het hoge vermogen als voor het kleine formaat, waardoor het de ideale metgezel is voor diegenen die hun smartphone snel willen opladen, waar je ook bent.
OPPO 65W GaN Fast Charger van binnenuit gezien: hier is de demontage
Welnu, vandaag hebben de Chinese media de demontage van het apparaat vrijgegeven; dus laten we eens kijken hoe het van binnenuit is!
We beginnen uiteraard met het verwijderen van de buitenschaal en het verwijderen van de printplaat met alle verschillende componenten.
De voorkant van de printplaat heeft een compacte en overzichtelijke componentenlay-out. Tegelijkertijd is er ook wat lijm om alles strak te houden. Er zijn ook isolatieplaten aan beide zijden van de transformator.
Ook de achterkant van de print is in één oogopslag bedekt met isolatieplaten en koellichamen.
De achterkant van het moederbord is uitgerust met een brug, een hoofdbesturingschip, een galliumnitride-stroomchip, een optocoupler en een protocolchip. De primaire en secundaire grenzen zijn duidelijk. Bovendien hebben we een geperforeerd ontwerp met twee solide condensatoren die de dikte van de behuizing verder verkleinen.
Kijkend naar het printplaatcircuit, bleek ook dat OPPO's nieuwe 65W GaN-lader een schakelende voeding gebruikt met een breed scala aan uitgangen, en dat de PD-protocolchip de uitgangsspanningsstructuur bestuurt via een optocoupler .
Maar laten we nu elk onderdeel van naderbij bekijken, te beginnen met de zekering, de X-condensator, de common-mode-inductor en de filterinductor.
Vanuit zijaanzicht zien we de aanwezigheid van een NTC-overspanningsonderdrukkingsweerstand tussen de veiligheidscondensator X en de kunststof behuizing. De plastic behuizing wordt gebruikt om de scheidingstransformator te ondersteunen.
Hier hebben we in plaats daarvan een close-up van de zekering, met zijn specificaties van 2,5A 250V.
Daarnaast is er een krimpkousbescherming met NTC-overspanningsonderdrukking, die wordt gebruikt om de stootstroom te onderdrukken.
De Safety X-condensatoren zijn afkomstig van STE Matsuda Electronics en er is een common-mode inductor-krimpkous, die wordt gebruikt om EMI-interferentie uit te filteren.
Vanuit een ander zijaanzicht van de printplaat is de elektrolytische condensator van het hoogspanningsfilter horizontaal geplaatst en is er een plastic omhulsel om het te isoleren van het moederbord met het soldeereinde bedekt met een isolerende buis.
De elektrolytische condensator met hoogspanningsfilter is van AiSHi Aihua, de specificatie is 400V 82μF.
Voor de uitvoer wordt opgemerkt dat de oplader een drielaags gestapeld PCB-ontwerp gebruikt. De bovenste laag is het kleine transformatorbord, het middelste kleine bord is gesoldeerd met de USB-aansluiting en de onderste laag is het moederbord
Door de kleine transformatorplaat te verwijderen zien we dat de rechterkant van de vlakke transformator is voorzien van een synchrone gelijkrichter controller en MOS buis.
Aan de achterkant bevinden zich twee solide condensatoren met uitgangsfilter.
Door het kleine frontbord, de condensatoren en andere componenten te verwijderen, kunt u zien dat er vier Y-patchcondensatoren en VBUS-uitgangsschakelkleppen op het moederbord zitten.
De belangrijkste besturingschip van de oplader is ON Semiconductor NCP1342, een hoogfrequente quasi-resonerende primaire PWM-controller met flyback-functie met ingebouwde actieve X2-condensatorontlading en meerdere uitgebreide beveiligingsfuncties.
Ten slotte is de belangrijkste controle-chip NCP1342 van ON Semiconductor die we hebben op de OPPO 65W GaN-snellader dezelfde die we vinden op de Lenovo Thinkplus 65W Pro galliumnitride-oplader, de Xiaomi 120W supersnelle oplader, de 120W iQOO-flitsoplader, Aoji 100W galliumnitride-oplader, Lenovo 90W dual-port galliumnitride-oplader, Nubia 65W galliumnitride-oplader, Rock 65W PD-snellader, Philips 65W snellaadcontact en nog veel meer. Dit is dus een chip van hoge kwaliteit die we op bijna alle galliumnitride-laders aantreffen.
